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J-GLOBAL ID：201602004688281507 整理番号：59A0006755
熱処理をした,けい素中のドナー状態の形成の機構図10参27
Mechanism of the Formation of Donor States in Heat-Treated Silicon.
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資料名：
Phys Rev (Physical Review)
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巻：
112
号：
5
ページ：
1546-1554
発行年：
1958年
JST資料番号：
D0323B
ISSN：
0031-899X
CODEN：
PHRVA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
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