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J-GLOBAL ID：201602004690929808   整理番号：71A0025734

シリコン結晶のプロトンチャネリング現象におけるデチャネル係数の温度依存性

Temperature dependence of dechanneling coefficient in channeling phenomena of proton in silicon crystal.

著者 (4件)： FUJIMOTO F ,  KOMAKI K ,  NAKAYAMA H ,  ISHII M
資料名： Phys Lett A  (Physics Letters. A)
巻： 33  号： 7  ページ： 432-433  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン結晶についてプロトンの〔111〕方向軸性チャネル実験を行い,デチャネル係数の温度変化を研究。デチャネル係数は熱振動の平均振幅ρに対しAρ2+Bの表式で表わされることを示した。実験結果からA=O.74A’2,B=.OOO76を得,特にBの値は電子衝突の理論から求めた値0.0083に良く一致する;写図1参5

シソーラス用語： チャネリング ,  温度依存性 ,  格子振動 ,  電子衝突 ,  陽子
準シソーラス用語： シリコン

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン結晶 ,  プロトン ,  チャネリング ,  現象 ,  係数 ,  温度依存性