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J-GLOBAL ID：201602004710885985   整理番号：71A0032735

斜方晶系いおうにおける荷電キャリア輸送の分子軌道法による研究 II 結晶の電子状態

Molecular-orbital studies of charge-carrier transport in orthorhombic sulfur. II. Electronic states of the crystal.

著者 (1件)： CHEN I
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 2  号： 4  ページ： 1060-1069  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 斜方晶系いおうの電子と正孔の移動度の大きさの4けたの逸いを説明するために.過剰電子と過剰正孔に対する分子電子間相互塑用エネルギーを.1報文で得られた分子軌道を用いて計算した。遇剰キャリアバンドを計算し.それらのバンド幅に対する電子貢献では移動度の差を説明できないことを示し.電子一分子振動結合の大きな差が電子とホールの移動度の大きな差に導くことを示した。1報同諺同号1C53-1060;図3表5参36

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  電子エネルギー準位 ,  分子軌道法
準シソーラス用語： いおう

タイトルに関連する用語 (8件)： 斜方晶系 ,  いおう ,  荷電 ,  キャリア輸送 ,  分子軌道法 ,  研究 ,  結晶 ,  電子状態