文献

J-GLOBAL ID：201602004713309853   整理番号：73A0044456

ZnSe_xTe_1-xのp-n接合の走査型電子顕微観察とカソードルミネッセンス

Scanning electron microscopy and cathodoluminescence of ZnSe_xTe_1-xp-n junctions.

著者 (4件)： AVEN M ,  DEVINE J Z ,  BOLON R B ,  LUDWIG G W
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 43  号： 10  ページ： 4136-4142  発行年： 1972年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 陰極線励起によりZnSe、Te1-のザn接合の構造を調べた。p型の領域のカソードルミネッセンスの効率は,77Kと300Kの間で102~103の差があるがn領域ではほぼ一定である。カソードルミネッセンス,陰極線励起伝導及び二次電子放出により接合部を調べた結果,再結合による光放出はダイオードのp領域に起こることがわかった。77Kと300Kにおけるダイオードの効率の大きな差はp型のZnSe、Te1、、の光放射再結合の効率の低下によることがこれより明らかである;写図7表1参20

シソーラス用語： PN接合 ,  陰極線ルミネセンス ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： ZnSe_xTe_1-x ,  電子顕微鏡法

タイトルに関連する用語 (4件)： p-n接合 ,  走査型 ,  電子顕微観察 ,  カソードルミネッセンス