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J-GLOBAL ID：201602004739872564   整理番号：70A0249990

トラップのある二谷半導体のGunn効果

On the Gunn effect in two-valley semiconductors with traps.

著者 (2件)： LAW H C ,  KAO K C
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 13  号： 8  ページ： 1119-1124  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トラッピング時間が電界に依存し,キャリヤ発生率が電界に依存しないと仮定して.トラップのある二谷半導体におけるGunn効果の理論を展開した。トラッビング率が二つの谷で等しく.電界に依存しなくてもトラッピング過程がGUnn不安定性に対するしきい値電界に影響を与える。ガン不安定性の発生に対して適当なパンド構造なっている試料でも.電界助長トラッピングによる負性微分抵抗を示すものでは谷相互間のキャリヤ輸送過程による負性微分抵抗は生じない。このモデルによって実験結果を説明することができる;写図3参8

シソーラス用語： Gunn効果
準シソーラス用語： トラッピング ,  二谷半導体

タイトルに関連する用語 (2件)： トラップ ,  Gunn効果