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J-GLOBAL ID：201602004789296742   整理番号：70A0036218

極低周波の測定で決めたSi-SiO₂界面の状態密度:結果の例と精度

Densite d’etats a l’interface Si-SiO₂ determinee par des mesures tres b asses frequences : exemple de resultats et precision.

著者 (2件)： CASTAGNE R ,  VAPAILLE A
資料名： C R Hebd Seances Acad Sci  (Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences. Serie A. Sciences Mathematiques, Serie B. Sciences Physiques)
巻： 270  号： 8  ページ： B552-B555  発行年： 1970年 
JST資料番号： B0303B  CODEN： CHDAA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： フランス (FRA)  言語： フランス語 (FR)

抄録/ポイント： 前論文(同誌270B276(’70))で述べた方法でSi-Sio,素の界面の状態密度の分布を決定した。この方法に固有な不確かさを評価した;写図1参4

シソーラス用語： 界面 ,  状態密度
準シソーラス用語： Si-SiO₂

タイトルに関連する用語 (3件)： 極低周波 ,  界面 ,  状態密度