抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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AL上のAl
2○
3の二次電子放射の深さの一次電子エネルギーVp依存性を研究した。二次電子放射係数δの最大値に相当するVpで深さは0.2μ。普通この方法で得られる深さは一次電子の透過の深さおよび二次電子発生の深さにほぼ等しいか。Vpが低いと放射の深さは発生の深さより小さぐかつ透過の深さより大で,Vpが高いと発生の深さより大となり得る。これは格子点での散乱や。二次電子の反射の結果である