抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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N形,P形Ge単結晶におよぼす22,40MeV陽子線衝撃効果を調べた。電気伝導度,ホール係数を陽子線束の関数として測定し,多数荷電担体濃度減少率を解析より評価する。先ずN形Geではホール係数の温度依存性より欠陥エネルギー準位は伝導帯底より(0.20±0.01)eV下方に位置することが判り,また電子減少率のフェルミ準位依存性もこの結果と一致する。N形Ge中へのアクセプク準位導入速度は22MeV時では73.5/cm-陽子,40MeV時では41.4/cm-陽子と変化する。P形Geの場合正孔の減少率はN形と同程度の抵抗値,照射強度に対して,はるかに低い値を示している。フェルミ準位の極限値は価電子帯上0.20~0.25eV上方にある