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J-GLOBAL ID：201602005045338362   整理番号：70A0250714

状態変数解析を応用した半導体デバイスの統一的なモデル化法

A unified modeling scheme for semiconductor devices with applications of state-variable analysis.

著者 (2件)： OHTSUKI T ,  KANI K
資料名： IEEE Trans Circuit Theory  (IRE Transactions on Circuit Theory)
巻： 17  号： 1  ページ： 26-32  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0226A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体デバイスの統一的なモデル化法を研究し,状態変数解析に直接応用できる手法を導いた。連続性,電流の流れの関係,Poisson方程式を基礎とした分布形系が任意の精度の集中RC回路網で近似でき,このモデル化法と状態変数解析技術を用いることによって半導体デバイスで構成された回路網が一組の普通の微分方程式で表わせることを示した。この手法を用いて最小の独立変数の状態方程式の組が組織的に得られる。この手法をいろいろな半導体デバイスに応用する例として,二次元トランジスタのモデルを示し,デバイス自身と回路網の広い条件範囲にわたる解析に応用した;写図8参20

準シソーラス用語： トランゾスタモデル ,  状態変数解析 ,  状態変数解析(トランゾスタモデル)

タイトルに関連する用語 (5件)： 状態変数 ,  解析 ,  応用 ,  半導体デバイス ,  モデル化