文献

J-GLOBAL ID：201602005067134779   整理番号：70A0036070

N形InSbの低温における電気伝導に対する不純物状態の寄与

В клад примесных состояний в электропроводность n-InSbпри низ ких температурах.

著者 (3件)： БАННАЯ В Ф ,  ГЕРШЕНЗОН Е М ,  ЛИТВАК-ГОРСКАЯ Л Б
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 4  号： 1  ページ： 200-207  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 高純度および高補償N形InSbの電気伝導率およびホール係敦を弱石揚,低温で測定した。実験結果は,伝導帯と不純物帯の2帯伝導によって説明される。2つの帯の電子濃度の温度変化を求めた。不純物濃度,イオン化エネルギー,補償度の効果をしらべた;写図6表3参16

シソーラス用語： Hall係数
準シソーラス用語： InSb形 ,  電気伝導率 ,  不純物状態

タイトルに関連する用語 (4件)： InSb ,  低温 ,  電気伝導 ,  不純物状態