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J-GLOBAL ID：201602005083490038   整理番号：70A0036219

SiO₂単結晶の2次電子放出

В то ричн ая элек тр они ая эммссия м оно к ри сталлов окиси кремння.

著者 (3件)： ШУЛЬМАН А Р ,  КОРАБЛЕВ В В ,  МОРОЗОВ Ю А
資料名： Fiz Tverd Tela  (Fizika Tverdogo Tela)
巻： 12  号： 2  ページ： 666-668  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0029B  ISSN： 0367-3294  CODEN： FTVTA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 100-2000eVの1次電子エネルギー範囲でSiO2単結晶からの2次電子放出係数σの1次電子入射角ψにたいする依存性を測定した。結晶構造の規則性がσ(E,)およびη(E,Xη:電子の非弾性反射係数)曲練に与える効果を考察した;写図2参10

シソーラス用語： 二次電子放出
準シソーラス用語： SiO₂

タイトルに関連する用語 (3件)： SiO2 ,  単結晶 ,  2次電子放出