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J-GLOBAL ID：201602005098813690   整理番号：72A0258348

高周波プレーナ型トランジスタの製造工程

Fabrication process for planar high-frequency transistor.

著者 (4件)： DOO V Y ,  GOOSH H N ,  PATTERSON W ,  REVITZ M
資料名： IBM Tech Disclosure Bull  (IBM Technical Disclosure Bulletin)
巻： 13  号： 2  ページ： 495-496  発行年： 1970年 
JST資料番号： E0292B  ISSN： 0018-8689  CODEN： IBMTA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エミッタ濃度を高くし.その濃度分布をエミッタベーズ接合において濃度傾斜が急になるように設計したトランジスタの製法を示す。エミッタ効率が増すためにスイッチスピードを速くすることができる。埋込まれたサプコレクタ上にエピタキシャル成長させたN型シリコン層を利用する;写図8

シソーラス用語： トランジスタ
準シソーラス用語： エピタキシヤル成長 ,  シリコン ,  プレーナトランジスタ ,  製造技術

タイトルに関連する用語 (3件)： 高周波 ,  プレーナ型トランジスタ ,  製造工程