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J-GLOBAL ID：201602005108430884   整理番号：71A0023371

ダイアモンド型炭素薄膜のイオン・ビーム蒸着

Ion-beam deposition of thin films of diamondlike carbon.

著者 (2件)： AISENBERG S ,  CHABOT R
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 42  号： 7  ページ： 2953-2954  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン・ビーム法で室温蒸若した炭素は絶縁性で次のようなダイアモンド型と類似の性質を示す。(1)透明,(2)屈折率≧2.0.(3)高い絶緑性,(4)ガラスにきずをつける.(5》一部結晶化し,格予定数はダイアモンドに近い.(6)誘電率は8-14(ダイアモンドは16)。この絶縁性炭素ゲートを用い共面薄膜トランジスタを作った;写図4参8

シソーラス用語： 炭素
準シソーラス用語： イオンビーム蒸着 ,  電流-電圧特性 ,  薄膜トランススタ ,  容量-電圧特性

タイトルに関連する用語 (5件)： ダイアモンド ,  炭素薄膜 ,  イオン ,  ビーム ,  蒸着