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J-GLOBAL ID：201602005115659684 整理番号：72A0037873
MrSe
2
における基底状態励起子エネルギーの厚さ依存性
Thickness dependence of t he ground-state exciton energy in MrSe
2
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著者 (1件)：
JONES G
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資料名：
Phys Rev B (Physical Review. B. Solid State)
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巻：
4
号：
6
ページ：
2069-2071
発行年：
1971年
JST資料番号：
D0746A
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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薄い異方性半導体において展開された理論(励起子を有効質量近似で取扱い,結晶表面の効果が影像電荷ポテンシャルによって含まれる。)を500A以下の厚さの結晶に応用する。理論から励起子基底状態エネルギーの厚さ依存性を知る。誘電成分.換算励起子質量成分の概算を使うとデータとの定量的一致を得る;写図2参10
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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WSe
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