抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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光微小探針法を用いてCu,S-CuSヘテロ接合の両側の少数キャリア拡散長を直接測定した。約1ΩcmのCdSにおいて正孔拡散長は3XlO’4と7×10”cmの間にあり.CdS上に形成した高伝導度C恥Sの電子拡散長は1×10’5から4×10“5cmの範囲にある事がわかった。さらにCdSのバンドギャップ以上のエネルギーを持つ光子によって,小さな逆バイアスで光誘起破壊が起る事がわかった。この破壊の模型について論ずる;写図9表1参19