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J-GLOBAL ID：201602005278095842   整理番号：65A0237540

電子線およびγ線照射によるGeO⁴ガラス中の常磁性中心の生成

Paramagnetic centers in germanium dioxide glass produced by electron and gamma-ray irradiation.

著者 (1件)： PURCCELL T
資料名： 不明
ページ： 1-67,i-x  発行年： 1964年 
JST資料番号： Z0000A  資料種別： 不明
記事区分： 原著論文  発行国： その他 (ZZZ) 

抄録/ポイント： ¹³⁷Csのγ線および1.5MeVの電子線を用いてGeO²ガラスを室温で照射した時に生じる常磁性中心をESR法によって~78°Kで観測した。この2種類の照射で見られる最も強いスペクトル線は軸対称gテンソルに関して粉状のパターンの特性を示した。GeO²ガラスの場合はg₁=1.9957,およびg₁₁=2.0016なるg値が幅13エルステッドの線に相当する。この線のスピン濃度を, 電子線とγ線の双方について線量増加の関数として測定したところ, 電子線照射による最大濃度は1Cm3当り約2.5×10¹⁸であった。光学的性質, 高いスピン濃度ならびに不純物含有量から見て, 照射によって生じる中心はGeO₂ガラスに固有なものであると考えられる。この中心とシリカについて観測した固有の中心E₁との類荷以点を考察した。GeO₂ガラスの常磁中心のモデルとして不完全なゲルマニウムの結合軌道に捕獲された電子というモデルを試みに考えた。また六方晶系および正方晶系の粉状結晶についても同様にして照射を行ったが, 六方晶系粉状結晶の線の形とガラスのそれとの類似は, ガラスの不規則に配向しているGeO₄正方晶系グループの結晶性性質の六方晶系相とある関係を持っていることを示すものであると解釈される。電子線照射ガラスの焼きなましによっても照射後観測されたものと類似の中心が生じた。それらの2つの中心についてのg₁₁は自由電子のg値に近いものであるが, 焼きなましによって生じた中心のg₁は2.0084である ; 図25 表6 参32

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子線 ,  γ線 ,  ガラス ,  常磁性中心