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J-GLOBAL ID：201602005293624720   整理番号：71A0241476

N6イオン折込みによるCdSP-N接合

著者 (1件)： 小松原たけ一
資料名： 電子通信学会電子回路部品・材料研究会資料
号： 70-29  ページ： 1-14  発行年： 1970年 
JST資料番号： S0517A  資料種別： 抄録・索引 (I)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 50keVでN⁺イオンをn-CdSに打込んだ。その結果表面層0.5μの深さにP形層ができた。イオン打込みによって生じた不純物準位をEPR信号で求めた。また.照射によるdefectのアニールの具合をEPRで調べた。P-N接合に流れるdiode currentは.拡散電流であることを示している。また.光電流を調べた所.N⁺打込みによって,acceptorの生じていることがわかった;写図9表1

シソーラス用語： PN接合
準シソーラス用語： CdS ,  CdS(イオン打込み) ,  PN接合(イオン打込み) ,  イオン打込み ,  イオン打込み(CdS)

タイトルに関連する用語 (2件)： イオン ,  折込み