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J-GLOBAL ID：201602005329081663   整理番号：71A0243718

GaAs負性抵抗発光ダイオード(GND)の特性と応用

著者 (2件)： 重政しゅん一郎 ,  中村功
資料名： 電子科学  (Electronic Science)
巻： 20  号： 13  ページ： 26-30  発行年： 1970年 
JST資料番号： G0074A  ISSN： 0415-410X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GNDはGLEと同様,GaAs単結晶を用いるがGLEが.PN接合であるのに対し,GNDは.PNPN4層構造をなしている。さらに.GNDの大きな特長の一つは,PNPN層構造がただ1回の操作で作られることである。これは,液相エピタキシャル法を用い,SiがGaAsに対し,ドナーにもアクセプタにもなるという両性の性質をたくみに利用したものである。GNDは,負性抵抗と発光という二つの機能をもつ能動素子であるため.発振.増幅,メモリ,スイッチなどの作用をもち.これらの現象を用いた用途開発が,どんどん進められている。この構造,特性,製法について述べる;写図21参4

シソーラス用語： 発光ダイオード
準シソーラス用語： GaAs負性抵抗 ,  GaAs負性抵抗発光ダイオード ,  GND ,  発光ダイオード(GaAs負性抵抗)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  負性抵抗 ,  発光ダイオード ,  応用