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J-GLOBAL ID：201602005366101879   整理番号：64A0025274

テルルまたは錫をドープしたピスマスのホール効果と比抵抗

Hall effect and resistivity of bismuth doped with tellurium or tin.

著者 (2件)： SCHULTZ B H ,  NOOTHOVEN VAN GOOR J M
資料名： ERA Rep (Electr Res Assoc  (ERA Report (Electrical Research Association))
巻： 19  号： 2  ページ： 103-111  発行年： 1964年 
JST資料番号： D0513A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 会議録記事  発行国： イギリス (GBR) 

抄録/ポイント： 4.2°Kおよび77°Kにおいて,ドープした表記ビスマス単結晶の電流磁気効果を調べ,テルル原子はドナー,錫原子はアクブタとして働くことが分った。ド-プ濃度は1×10¹⁶から5×10¹⁹atoms/cm³にわたり,平均易動度は濃度ならびに温度に依存した。本文ではホール濃度と電子濃度との差および易動度とドープ濃度との関係を議論した。なお加えた磁場は量子効果が起らない程度の強度である;図3表1参9

タイトルに関連する用語 (5件)： テルル ,  錫 ,  ドープ ,  ホール効果 ,  比抵抗