抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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結晶化装置中の過飽和度を非常に小さい準臨界結晶を補充することにより作り出す新しい結晶化行程を,数学的モデルを用いて示す。結晶濃度と製造速度と平均生成結晶に対する補充結晶の寸法などを計算した。計晶の寸法は補充結晶の寸法が減少し,結晶濃度が増すと大きくなる。氷の結晶について実験的に上記考察が確かめられた;写図3表1参3