MOS構造のビルトイン電圧の直接測定

VISWANATHAN C R; OGURA S

文献

J-GLOBAL ID：201602005423934696 整理番号：72A0045672

MOS構造のビルトイン電圧の直接測定

Direct measurement of built-in voltage in MOS structures.

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資料名：
巻： 42 号： 13 ページ： 5865-5868 発行年： 1971年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

光電法を用いてMOS構造のビルトイン電圧を直接測定することが出来ることを示す。この方法を用いて実験的に測定した値を他の方法で得た値と比較し.この方法の正当性を論ずる;写図2表3参6

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