抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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GaAsガンおよびLSAダイオードについて集中熱抵抗モデルを導出した。熱抵抗は動作層.電極層,接着界面。パッケージおよび熱放散台それぞれについて考慮した。計算結果は赤外線検出器による値と良く一致した。熱的に誘起されたアバランシェが電流の山と谷の比を悪くし,素子の効率を下げることが分った;写図8表2参7