抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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電子の点状線源の近くで散逸するエネルギーの幾何学的なもしくはインフルエンス関数を導くために実験式が提案され.照射ならびにアイソトープによる電子の不連続面近くの吸収線量の計算に用いられているがSpencerの式はあま1)便利な形ではない。これを便利な形にするには電子の初期エネルギーとエネルギーを散逸する材料とに依存する関数関係を導く必要がある。このため電子のバスは直線であり.阻止能は連続でしかもLETに著しいと仮定してSpencerの計算にもとづき阻止能の新しいモデルを導入する。境界面としては無限平面ならびに球面を取扱い.その両側で原子番号が等しいとき,ことなっているときにつきインフルエンス関数を求め,これを用いて計算した線量分布と他の人達が求めたものと比較した。その結果電子が物質中を通過するとき新しいインフルエンス関数を用うる単純なモデルでも線量分布がよく合う,とくに低原子物質で,たとえば線源が35S.9。Yなどの場合低エネルギー(500keV以下)と高エネルギーでポリスチレン.炭素,空気,アルミニウムおよび銅につき平面球面の境界面につきインフルエンス関数を計算し表ならびにグラフに示ルエンス関数を計算し表ならびにグラフに示しているように低原子物質の方が理論的取扱いとよく合っている。しかし今までよく参考にしているモデルの中には採用しない方がよい例外もある。以上の外に境界面としては円筒の場合もあるがコンピュータでも計算に時間もかかるしRe(1.75》のモデルを用いてもあまり大きな誤差はないので計算の取扱いは除いた(山本格治);写図6表4参12
