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J-GLOBAL ID：201602005540648530   整理番号：71A0390281

SiH₄-NH₃の触媒反応による窒化けい素の作成

著者 (3件)： 山崎舜平 (同志社大(工)) ,  WADA K (同志社大(工)) ,  谷口一郎 (同志社大(工))
資料名： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 9  号： 12  ページ： 1467-1477  発行年： 1970年 
JST資料番号： G0520A  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学蒸着過程に触媒を使って反応分子を活性化させると,Si-Si₃N₄系の電気的性質が向上することを確かめた.ここではアンモニアおよびシランのそれぞれについて,NiOとPtを用いたが,蒸着温度は通常法より約100°C減少し,si-si₃N₄系のNFBは約10分の1ほどになった.界面準位密度は1×10¹¹cm^-2であった:参25

タイトルに関連する用語 (2件)： 触媒反応 ,  窒化けい素