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J-GLOBAL ID：201602005580309304   整理番号：71A0024488

CdSiAs₂結晶における電気的に活性な点欠陥

Electrically active point defects in CdSiAs₂ crystals.

著者 (5件)： AVERKIEVA G K ,  GORYUNOVA N A ,  PROCHUKHAN V D ,  RUD YU V ,  SERGINOV M
資料名： Phys Status Solidi A  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 5  号： 3  ページ： 571-576  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdAsから成長させた正孔濃度が1015~1016の標記単結晶の伝導度とホール係数をvanderPawの方法で測定し,この物質に固有な点欠陥の電気的性質に与える影響を調べた。結晶をCdあるいはAsの.1,ん囲気で熱処理するとE,+0.27eVの位置にアクセプタの準位が生しる。これはCdの点欠陥によると考えられる;写図5参7

シソーラス用語： Hall効果 ,  点欠陥 ,  電気的性質
準シソーラス用語： CdSiAs₂ ,  電気伝導率

タイトルに関連する用語 (3件)： 結晶 ,  活性 ,  点欠陥