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J-GLOBAL ID：201602005597854144   整理番号：72A0042206

MOS素子における速い表面準位の研究

Investigations on fast surface states in MOS systems.

著者 (3件)： ERLAKY G ,  VALKO A ,  SCHILLER V
資料名： Proc Intern Conf Phys Chem Semiconductor Heterojunctions Layer Struct Budapest Vol V  (Proceedings. International Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures 701011 Vol.5)
ページ： 91-99  発行年： 1971年 
JST資料番号： K19700155  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ハンガリー (HUN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1000°Cで成長させたSiO₂膜をN₂中で熱処理(450~1000°C)したMOS素子のC-V特性から表面準位濃度を求め,そのエネルギー分布は結晶の方位に鮪することを示した.ゲート電極としてMo,Alを用いると,5CC°Cの熱処理に耐える。B-T処理によるC-V特性の変化はAlの場合はほとんど見られぬが,Moでは表面準位濃度の増加をもたらす;写図5参7

シソーラス用語： MOS構造 ,  熱処理 ,  表面準位

タイトルに関連する用語 (3件)： MOS素子 ,  表面準位 ,  研究