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J-GLOBAL ID：201602005598358558   整理番号：70A0250185

III-V化合物のエピタキシャル膜の形成

On the preparation of epitaxial films of III-V compounds.

著者 (2件)： JAIN V K ,  SHARMA S K
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 13  号： 8  ページ： 1145-1162  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaP,GaAs,GaSb,Inp,InAs,InSbなどのIII-V化合物のエピタキシャル膜の形成技術として,真空蒸着技術,陰極スパッタリング,気相成長技術,液相からの成長技術などを比較検討し,膜の成長や品質に影響を与える要因を解析した。いろいろな固体デバイスの特性を制御するためには気相成長技術が数多くの利点をもち,広く応用されている。液相エピタキシーは簡単で,GaAsの高移動度のものに用いられているが条件の制御が難しい。形成における重要な要因は容器や材料の純度,基板温度,基板の作製処理方法,膜のストイキオメトリなどである;写図6表2参59

シソーラス用語： スパッタリング ,  気相成長 ,  真空蒸着
準シソーラス用語： III-V化合物

タイトルに関連する用語 (1件)： エピタキシャル膜