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J-GLOBAL ID:201602005613842801   整理番号:65A0163006

金属-絶縁物-半導体コンデンサに対する横方向AC電流モデル

Lateral AC current flow model for metalinsulatoxsemiconductor capacitors.
著者 (2件):
資料名:
巻: 8810  号:ページ: 108-117  発行年: 1965年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
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金属-絶縁物-半導体コンデンサにおいてそのアドミッタンスは半導体表面が完全に逆転層によっておおわれているならばほとんどそのチャネル内での横方向の電流によって決まる。従ってこのアドミッタンスの測定はチャネルの特性を調べる一つのパラメータとなり得る。ここではその簡単な等価回路を求め実験的に立証されることを確かめた。さらにこのモデルを用いてDCバイアス時に生ずる酸化膜表面に沿ってのイオンの移動による特性の変動を検討した;図17表1参12
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