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J-GLOBAL ID：201602005626365840   整理番号：70A0250898

高出力L-およびS-バンド輸送電子発振器

High-power L-and S-band transferred-electron oscillators.

著者 (3件)： BERSON B E ,  ENSTROM R E ,  REYNOLDS J F
資料名： RCA Rev (Radio Corp Am)  (RCA Review (Radio Corporation of America))
巻： 31  号： 1  ページ： 20-38  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0503A  ISSN： 0033-6831  CODEN： RCARCI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsエピタクシャル層を用いて.高出力輸送電子形発振器を開発した。素子の高出力化に影響を与えるパラメータをおさえるため,各工程の再現性などを確立した。特に高純度,均一なキャリヤ濃度分布をもつエピタクシャル層の開発に重点を置いた。このようにして作った素子の効率の最高は32%であり,出力の最高は200Wであった。また複数個の素子を同一パッケージにマウントすることも試みたが,出力は期待されるほどでなかった。この発振器の安定性についても検討した;写図12表6参10

準シソーラス用語： GaAs ,  GaAs(輸送電子発振器) ,  マイクロ波発振器 ,  マイクロ波発振器(輸送電子発振器/GaAs) ,  輸送電子発振器 ,  輸送電子発振器(GaAs)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高出力 ,  バンド ,  輸送 ,  電子 ,  発振器