抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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ZnOの薄膜半導体の電気伝導度に対するHgの蒸着による効果を調べた。ZnO膜の温度を20°Cとし.Hg気の圧力を10-9~10-7Torrとした場合,蒸着した半導体の電気伝導度は6~8%の増加を示す。これより高い蒸気圧の場合には,このような効果がみられない。Hg蒸需過程における電導度の変化については,その動力学的考察を行なった。半導体表面に吸着したHgは,次のような過程をへる。Hg(v)→Hg(s)→Hg+(s)+e.Hg+(s)+Hg(s)+e→Hg試s)+e→Hg2(s).Hg(s)+Hg(v)→Hgz(s),(v),(s)はそれぞれ自由な状態と吸着状態を表わす;写図2参5