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J-GLOBAL ID：201602005711131786   整理番号：71A0046302

シリコン中に室温でイオンインプラントしたインジウムの濃度プロフィール

著者 (5件)： GAMO K ,  MASUDA K ,  NAMBA S ,  I SHIHARA S ,  KIMURA I
資料名： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 10  号： 4  ページ： 523-525  発行年： 1971年 
JST資料番号： G0520A  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中性子活性解析によってSi中にイオンインプラントしたlnの濃度プロフィールを測定した。平均射出距離とその標準偏差はBriceの理論計算ζよく合うが.濃度プロフィールはガウス型から著しくずれ,ピークから表面に向って急に減少する事がわかった;写図2参6

準シソーラス用語： インプランテーション ,  シリコン ,  濃度フロフィール

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  室温 ,  イオン ,  インプラント ,  インジウム ,  濃度プロフィール