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J-GLOBAL ID：201602005713906297   整理番号：72A0256810

埋込みイオン注入層のコンタクト法

Contacting buried ion implanted layer.

著者 (4件)： FAIRFIELD J M ,  RUPPRECHT H S ,  SANDHU J S ,  SCHWUTTKE G H
資料名： IBM Tech Disclosure Bull  (IBM Technical Disclosure Bulletin)
巻： 13  号： 5  ページ： 1052  発行年： 1970年 
JST資料番号： E0292B  ISSN： 0018-8689  CODEN： IBMTA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マスクの窓あけされた部分における断面を斜めにしておき,それにイオン注入することによって,横方向が傾斜した断面構造をもつ埋込まれた接合がえられる。この原理と方法をのべた;写図2

シソーラス用語： イオン注入 ,  マスク ,  接合 ,  半導体材料
準シソーラス用語： イオンインプランテーション

タイトルに関連する用語 (3件)： 埋込み ,  イオン注入 ,  コンタクト