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J-GLOBAL ID：201602005746908120   整理番号：70A0036029

シリコンの禁制帯中にPtによってつくられたエネルギー準位

Niveaux d’energie introduits dans la bande interdite du silicium par le platine.

著者 (2件)： CHARLOT J-J ,  VAPAXILLE A
資料名： C R Hebd Seances Acad Sci  (Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences. Serie A. Sciences Mathematiques, Serie B. Sciences Physiques)
巻： 270  号： 23  ページ： B1488-B1491  発行年： 1970年 
JST資料番号： B0303B  CODEN： CHDAA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： フランス (FRA)  言語： フランス語 (FR)

抄録/ポイント： 900.または1100°CでPtを拡散させたSiの,140-520.Kにおけるホール係数を測定し,Ptによってつくられた準位の位置.性質および濃度を研究した。三つの準位を決定した。E,-0.23eVのアクセプタ準位とE,+0.21eVのドナー準位はPtによるもので,E,+0.36eVのアクセプタ準位はPtだけによるものではないらしく詳細は不明である;写図1表1参6

シソーラス用語： Hall係数 ,  アクセプタ準位 ,  ドナー準位 ,  白金 ,  不純物準位
準シソーラス用語： Si中 ,  シリコン ,  白金(Si中)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  禁制帯 ,  Pt ,  エネルギー準位