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J-GLOBAL ID：201602005759496662   整理番号：71A0243468

半導体素子のウエーハ段階における検査

Semiconductor wafer testing.

著者 (1件)： SHULTIS D E
資料名： IBM Tech Disclosure Bull  (IBM Technical Disclosure Bulletin)
巻： 13  号： 7  ページ： 1793  発行年： 1970年 
JST資料番号： E0292B  ISSN： 0018-8689  CODEN： IBMTA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体集積回路の機能検査は.’一般にはウエーハをダィシングしてチップに分割してから行なわれる。 しかし,大規模な集積回路の場合にはウエーハの段階で単位回路の機能検査を行ない,特性の良好なものだけを選んで単位回路間の配線を行なった後にダイシンクすれば歩止りが向上する。 単位回路の入出力端子以外の電節で,検査時にプロープを接続する必要が有るものは単位回路問の不使用領域にパッドを設けて引出しておく。 これらのパッドはダイシングの際に破壊される;写図1

シソーラス用語： 集積回路 ,  半導体素子

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体素子 ,  ウエーハ ,  段階 ,  検査