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J-GLOBAL ID:201602005771878660   整理番号:60A0007395

圧電効果とそれの半導体伝導機構解明への応用

The piesoresistive effect and its applications.
著者 (3件):
資料名:
巻: 31  号:ページ: 323-327  発行年: 1960年 
JST資料番号: D0517A  ISSN: 0034-6748  CODEN: RSINAK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント:
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応力の印加によって抵抗が変化する圧電効果は半導体の伝導機構の解明に役立ち,電圧変換器にも応用されると指摘,半導体中での本効果について述べ2結晶薄称性四階圧電抵抗テンソルの解析を試みた。諸半導体中のこの効果の大きさを表に示し,この中で特にTiO2とPbTeに注目している。またこの効果に基づく諸装置の設計に関しても言及した
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