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J-GLOBAL ID：201602005799459603   整理番号：71A0045395

負性抵抗域のあるInSbダイオードの電流電圧特性に対する量子極限的磁場の効果

Влияние каантующего магнитного поля на вольтамперные характеристики n-InSb диодов с отрицательным участком.

著者 (3件)： САПМКУЛОВ З А ,  ФПЛАТОВА Е С ,  ЯГОДКИН В М
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 4  号： 12  ページ： 2396-2397  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： N形1nSb(n=8×10-t’cm“3)にln+1%Te.In+1%Cdを合金して作ったPNN接合の電流電圧特性に対する強磁場の影響をしらべた。20kOeまでの磁場に対してS字型の特性が得られた。極大,極小電圧ともに磁場とともに増大する。大電流側分枝の微分抵抗は,磁場とともに大きくなる;写図1参3

シソーラス用語： アンチモン化インジウム ,  負性抵抗
準シソーラス用語： 強磁場効果 ,  電流-電圧特性

タイトルに関連する用語 (6件)： 負性抵抗 ,  InSb ,  ダイオード ,  電流電圧特性 ,  量子極限 ,  磁場