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J-GLOBAL ID：201602005808339969   整理番号：71A0038125

照射した炭化シリコンのESR

Esr in irradiated silicon carbide.

著者 (2件)： BALONA L A S ,  LOUBSER J H N
資料名： J Phys C  (Journal of Physics. C. Solid State Physics)
巻： 3  号： 11  ページ： 2344-2351  発行年： 1970年 
JST資料番号： B0914A  ISSN： 0022-3719  CODEN： JPSOAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n.p型6H炭化シリコン.n型3C炭化シリコン単結晶を.0.8.1.OMeV電子,あるいは原子炉中性子に室温で照射し.ESRスペクトルを観測する。七つのスペクトルから成り,そのうちの三つは.電荷を持たない炭素空格子点,負電荷炭素二空格子点,臭素位置につかまった電荷を持たないシリコン空格子点によると思われる;写図5表1参10

シソーラス用語： 空格子点 ,  中性子照射 ,  電子スピン共鳴 ,  電子照射
準シソーラス用語： SiC ,  炭化シリコン

タイトルに関連する用語 (2件)： 炭化シリコン ,  ESR