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J-GLOBAL ID：201602005810136382   整理番号：71A0043885

不純物結合エネルギーの誘電理論 III Si,GeにおけるIII族アクセプタ

Dielectric theory of impurity binding energies. III. Group-III acceptors in Si and Ge.

著者 (1件)： PHILLIPS J C
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 2  号： 10  ページ： 4044-4052  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： si,GeにおけるアクセプタXの基底状態エネルギーの化学シフトと9因子を有効質量理論によって解析する。r.X.Lでの仮想結晶の価電子バンドと伝導バンドのエネルギー準位における遠いは,半経験的光学的規則によって計算される。この計算結果はイオン半径や電気陰性度の差にもとずく定性的モデルによっては説明され得ない結果を説明する;写図2表7参25

シソーラス用語： g因子 ,  アクセプタ ,  ゲルマニウム ,  化学シフト ,  電気陰性度 ,  有効質量
準シソーラス用語： シリコン

タイトルに関連する用語 (7件)： 不純物 ,  結合エネルギー ,  理論 ,  Si ,  Ge ,  III族 ,  アクセプタ