文献

J-GLOBAL ID：201602005812110240   整理番号：70A0365107

反応性スパッタリングによるZnSけい光膜の電場発光I 反応性スパッタリングによる硫化亜鉛薄膜の生成

著者 (3件)： 立木正泰 (岐阜大(工)) ,  須藤正俊 (岐阜大(工)) ,  松原修 (岐阜大(工))
資料名： 電気化学および工業物理化学  (電気化学)
巻： 38  号： 5  ページ： 355-359  発行年： 1970年 
JST資料番号： G0072A  ISSN： 1344-3542  CODEN： EECTFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN) 

抄録/ポイント： 反応性スパッタリング法によるZnS薄膜作製の最適条件を求めるため,因子としてスパッタリング時間,スパッタリング時の基板温度,ArとH₂Sの混合ガス体積比,および圧力を選び,それらが膜厚およびX線回折強度に及ぼす影響を調べた.その結果,作成されたZnS薄膜は1μ以下の薄いものであり,その厚さはスハッタリング時間にまたそのX線回折強度はその膜厚にはぼ正比例する,スパッタリング時の基板温度(200~500°C)が高くなるにつれてZnSの基板への付着率は減少するが,逆に結晶性はよくなる,などの結論を得た:参9

タイトルに関連する用語 (6件)： 反応性スパッタリング ,  ZnS ,  けい光 ,  電場 ,  硫化亜鉛 ,  薄膜