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J-GLOBAL ID：201602005812202463   整理番号：68A0037652

レーザービーム・アドレス可能な低温メモリ

Low-temperature beam-addressable memory.

著者 (2件)： FAN G Y ,  GREINER J H
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 39  号： 2  ページ： 1216-1218  発行年： 1968年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 低温で強磁性を示すEuOを用い,レーザ・ビームによる熱記録およびカー効果を用いた読出しを行なうビームアドレス・メモリを述べた。EuOの相対ファテデー回転角はλ=0.7μで5×10⁵度/cmと大きく,カー効果を利用してGaAs光パルス(約1mW)を用い,00.7nsecのゲート時間でS/N=5が得られた。またこの試料は20°KでHσ=120Oe,Mr/Ms=0.8,直径約200Åの微小粒子からなり,10mW,10nsecレーザ・パルスで直径3μ以下のスポット状の磁化反転を行なうことができた。厚さは約1300Åである;写図1表1参11

タイトルに関連する用語 (3件)： レーザービーム ,  アドレス ,  低温