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J-GLOBAL ID：201602005836698630   整理番号：71A0030860

直流バイアススパッタの簡単な装置

A simple apparatus for DC bias sputtering.

著者 (2件)： BOMER R P ,  BECK A H
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 20  号： 7  ページ： 285-290  発行年： 1970年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Taの薄膜を作るのにスパッタ法などがあるが,耐久力がある点でスパッタがすぐれている。本文はこのスパッタ装置の中特に直流バイアスの装置の概略について述べ,結果として,バイアスなし及び低いバイアスでスパッタすると,負の温度特性を持つ事,高いバイアス80-105Vでは正の温度特性になることなどを報告している;写図9表3参5

シソーラス用語： タンタル
準シソーラス用語： スパッタ装置 ,  スパッタ膜 ,  近似 ,  超伝導薄膜

タイトルに関連する用語 (3件)： 直流 ,  バイアス ,  スパッタ