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J-GLOBAL ID：201602005857463390   整理番号：71A0025505

film-boilingによるけい素と炭化けい素のデポジット

Deposition of silicon and silicon carbide by film-boiling.

著者 (1件)： CONRAD R W
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 117  号： 10  ページ： 1315-1316  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 物質を液中に浸し,その液体の沸とう点以上に加熱したとき蒸気のさやが形成されて物質と液体とが分雅される。このfilm-boilingとよばれている手法で黒鉛上に10v/oトリメチルクロルシランを含むメタノール溶液中から,また単結晶けい素上に20v/oトリメチルクロルシランを含むシクロヘキサン溶液中から.それぞれデポジットさせたものをX線回折その他で調べ.前者の場合にえられる230μm厚さのガラズ状物質は単相でなく,ミクロかたさ1800のSi33c,04のような成分のものであること.後者の場合にえられるものは94μrn厚さの多結晶のけい素であることを確認;写図3参3

シソーラス用語： けい素 ,  炭化けい素 ,  熱分解 ,  薄膜
準シソーラス用語： film-boiling法 ,  film-boiling法(薄膜形成) ,  けい素(膜film-boiling法) ,  ミクロかたさ ,  ミクロかたさ(炭化けい/けい素) ,  炭化けい ,  炭化けい素(膿/film-boiling法) ,  熱分解(薄膜調製) ,  膿 ,  薄膜(けい素/炭化けい素) ,  薄膜形成 ,  薄膜調製 ,  膜film-boiling法

タイトルに関連する用語 (3件)： けい素 ,  炭化けい素 ,  デポジット