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J-GLOBAL ID：201602005859181499   整理番号：70A0251758

Sirtlエッチャントを用いたエミッタエッジ転位の観察とトランジスタパラメータに対するその影響

Observations of EE dislocations using Sirtl etchant and their influence on transistor parameters.

著者 (3件)： PAREKH P C ,  GAVEL E ,  LYN V
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 13  号： 5  ページ： 707-710,708(1)-708(3)  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sirtlエッチャントを用いてエミッタのエッジ転位を観察し,単一ステップ拡散ではこの転位の発生の臨界条件が全体の隣濃度にあることを示した。この濃度が増すとエッジ転位が発生することにより過剰接合リーク電流が増し,エミッタ領域のエネルギーバンドギャップが減少するためにh_FE-温度特性が劣化する。小面積にすることがこの転位密度を低くし,リーク電流やh_FE-温度特性もよくすることをエミッタ面積およびコレクタ面積が小さいトランジスタと大きい(約7倍)トランジスタについての比較実験から導いた;写図5表1参9

準シソーラス用語： エミッタエッジ転位 ,  トランジスタパラメータ

タイトルに関連する用語 (6件)： エッチャント ,  エミッタ ,  エッジ転位 ,  観察 ,  トランジスタ ,  パラメータ