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J-GLOBAL ID：201602005860269456   整理番号：70A0042947

β-タングステン構造化合物の超伝導薄膜の製造及び性質

Preparation and properties of superconducting thin films of β-tungsten structure compounds.

著者 (4件)： JANOCKO M A ,  GAVALER J R ,  HULM J K ,  JONES C K
資料名： J Vac Sci Technol  (Journal of Vacuum Science & Technology)
巻： 7  号： 1  ページ： 127-129  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0789A  ISSN： 0022-5355  CODEN： JVSTAL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： β-タングステン(A15)構造を持った化合物超伝導体は超高磁場発生用材料として重要。Nb-A1-Ge化合物を工業的に有利な薄膜の形に成長する為の高純度スバッタ技術を開発。これらの方法によって成長した薄膜の220kOeまでの磁場中における性質を現在の理論で解釈;写図1参6

準シソーラス用語： Nb-Al-Ge化合物 ,  β-タングステン構造 ,  スパッタ膜 ,  超伝導薄膜

タイトルに関連する用語 (3件)： タングステン ,  超伝導薄膜 ,  性質