抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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10kev.室温でP型Ge単結晶に1.5×10‘5A1イオン1ごをインプラントした。担体分布は薄膜の陽極もぎとり後ホール効果とシート抵抗を測定することにより得た。焼なまし特性は表面層を次々にもぎとりして.反射型電子回折法によりインプラント表面層を観測して調べた・インプラントイオンの深さはLSS理論により推測される範囲をこえて.室温で1400Aに達する;写図4参6