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J-GLOBAL ID：201602005896746293   整理番号：71A0248801

空間電荷および谷間遷移時間を考慮したLSAモードの解析

Analysis of the LSA mode including effects of space charge and intervalley transfer time.

著者 (2件)： CURTICE W R ,  PURCELL J J
資料名： IEEE Trans Electron Devic  (IRE Transactions on Electron Devices)
巻： 17  号： 12  ページ： 1048-1060  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsガン効果素子における谷間遷移時間,累積層の移動,ダィポールドメインの成長のLSAモード動作に及ぼす影響の理論的解析を行なった。累積層によって隔てられた臨界電界以上の活性領域とそれ以下の受動領域を含んだ結晶体を解析するために,エネルギー緩和を考慮した二谷モデルを用いた。この場合ドメインの成長は活性領域で生ずる。結晶の厚さ20および100μの場合の種々の結晶バラメータと動作条件の発振効率とRFアドミッタンスに及ぼす影響具体的数値を示した;写図10参17

準シソーラス用語： Gunn効果素子 ,  LSAモード

タイトルに関連する用語 (4件)： 空間電荷 ,  遷移時間 ,  LSA ,  解析