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J-GLOBAL ID：201602005896990550   整理番号：70A0038196

半絶縁性GaAsをイオン線照射して作った低抵抗層

Низкоомные слои,полученные ионной бомбардировкой на полуизолирующем а р сен ид е галлия.

著者 (4件)： ЗЕЛЕВЕНСКАЯ В М ,  КАЧУРИН Г А ,  ПРИДАЧИН Н Б ,  СМИРНОВ Л С
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 4  号： 2  ページ： 317-320  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 比抵抗約108ΩcmのGaAsにXe+,Kr+,Se+、Zパイオン線を照射し,伝導性の層を得た。層の電子濃度は5×1016cm-3.移動度は10耐/V.s,熱的活性化エネルギーは0.07eV。イオン線の線量.エネルギー,下地温度の効果をしらべた;写図4参9

シソーラス用語： イオン照射 ,  移動度 ,  活性化エネルギー
準シソーラス用語： GaAs

タイトルに関連する用語 (4件)： 半絶縁性 ,  GaAs ,  イオン線 ,  抵抗層