文献

J-GLOBAL ID：201602005904362718   整理番号：73A0040202

Se-SnO₂系で観察した極性記憶効果

Polarized memory effect observed on Se-SnO₂ system.

著者 (3件)： MATSUSHITA T ,  YAMAGAMI T ,  OKUD A M
資料名： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 11  号： 11  ページ： 1657-1662  発行年： 1972年 
JST資料番号： G0520A  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Se-SnOp系の極性記憶効果(オンとオフ状態間のスイッチングがバイァス電圧の極性に依存する記憶)を報告。試料は厚さ300~500AのSe膜。オフ状態の抵抗R。ryとオン状態の抵抗R。Nの比は約3けた。厚さ10’Åの膜では,オフからオン状態のしきい電圧V、、は15Vで,オンからオフへの反転電圧V,は3.5V;写図12参10

シソーラス用語： スイッチ効果 ,  電流電圧特性 ,  薄膜
準シソーラス用語： Se-SnO₂系 ,  記憶効果 ,  極性記憶効果

タイトルに関連する用語 (3件)： 観察 ,  極性 ,  記憶効果