抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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Ge合金形トランジスタの雑音の電圧依存性を解析し,ベース・コレクタ接合の飽和電流に重なっている漏れ電流との関係を明らかにした。半導体表面の特性,表面漏れ電流の電圧依存性,漏れ電流による雑音の周波数依存性および緩和特性からGe合金形トランジスタの1/f雑音の源を検討し.コレクタ電圧依存性を導いた。雑音指数と雑音等価回路を導き.Ge合金形pnpトランジスタについての実験結果を示し.理論解析と比較検討した;写図22表1参70