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J-GLOBAL ID：201602005935085577   整理番号：71A0048178

InSb中の2eVとうげ点での磁気反射におけるランダウ準位構造

Landau-level structure in magnetoreflection at the 2-eV saddle point in InSb.

著者 (1件)： SARI S O
資料名： Phys Rev Lett  (Physical Review Letters)
巻： 26  号： 19  ページ： 1167-1170  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 円偏光変調磁気反射技術を用いてlnSbのE,端でM,とうげ点におけるランダウ準位を初めて観測したことを報告する。横換算質量はm/μ1豊19.7±L3と測定した。電子一正孔相互作用の重要性を論ずる;写図3参14

シソーラス用語： Landau準位 ,  アンチモン化インジウム ,  有効質量
準シソーラス用語： InSb ,  磁気反射スペクトル

タイトルに関連する用語 (4件)： InSb ,  とうげ点 ,  磁気反射 ,  ランダウ準位